PLASMA ETCHING

L’attacco ionico reattivo (RIE) è una tecnologia di tipo dry e viene utilizzata su quasi tutti i materiali che vengono utilizzati nell’elettronica e optoelettronica. Il substrato o campione viene bombardato con particelle cariche che rimuovono strato per strato la superficie, in modo riproducibile e anisotropo.

L’attacco ionico reattivo (RIE) viene utilizzato principalmente per la strutturazione anisotropa del silicio, di materiali dielettrici organici e inorganici, materiali metallici di barriera e polimeri per applicazioni elettroniche e optoelettroniche.

Substrato di Silicio mascherato con photoresis, prima di effettuare il processo in plasma

Processo al plasma

Per rimuovere il silicio o gli strati contenenti silicio, si usano principalmente gas di attacco a base di fluoro come CF₄ e SF₆.
Per l’attacco di molecole organiche o la rimozione di strati inorganici di residui organici, vengono utilizzati plasma di ossigeno o miscele di gas di O2 e CF4.

Gli strati metallici vengono rimossi principalmente tramite rimozione fisica generalmente, per mezzo di plasma di argon.