PLASMA ETCHING

L’attacco ionico reattivo (RIE) è una tecnologia di tipo dry e viene utilizzata su quasi tutti i materiali che vengono utilizzati nell’elettronica e optoelettronica. Il substrato o campione viene bombardato con particelle cariche che rimuovono strato per strato la superficie, in modo riproducibile e anisotropo.

L’attacco ionico reattivo (RIE) viene utilizzato principalmente per la strutturazione anisotropa del silicio, di materiali dielettrici organici e inorganici, materiali metallici di barriera e polimeri per applicazioni elettroniche e optoelettroniche.

Substrato di Silicio mascherato con photoresis, prima di effettuare il processo in plasma
Processo al plasma

Processo al plasma

Processo al plasma

Per rimuovere il silicio o gli strati contenenti silicio, si usano principalmente gas di attacco a base di fluoro come CF4 e SF6.
Per l’attacco di molecole organiche o la rimozione di strati inorganici di residui organici, vengono utilizzati plasma di ossigeno o miscele di gas di O2 e CF4.

Gli strati metallici vengono rimossi principalmente tramite rimozione fisica generalmente, per mezzo di plasma di argon.

Risultato dopo aver effettuato il processo al plasma

Risultato dopo aver effettuato il processo al plasma

Cosa si ottiene

Il plasma è pertanto un ottimo mezzo per ottenere:

  • Asportazione di fotoresist
  • Attacco del silicio
  • Attacco e modifica superficiale di polimeri fluorurati
  • Microattacco metalli

Prodotto consigliato

FALCON RIE+

Plasma RIE